レビューメディア「ジグソー」

DDR3-1600 CL9対応で安価。でも緑基板の不良に注意。

そろそろメインPCのOSを64bitに移行したいという事で購入しました。
3000円と安価で、DDR3-1600、CL9、1.5Vで動く優秀なメモリです。

全品出荷前検査のはずのシリコンパワーのメモリですが、1枚がMEMTEST86+で開始直後からエラーを出し続けました。
初期不良という事で交換して頂きました。しかし、交換品も同じ緑基板のメモリで、MEMTEST2時間ほどで大量のエラーを出し、2枚とも不良。
メーカーにも問い合わせつつ、もう一度交換してみようという事で、再交換して到着した品が写真下側の青基板のメモリです。
青基板のメモリは不良なく2枚とも正常でした。

SP008GBLTU160V22_基板比較
SP008GBLTU160V22_基板比較

違いとしては、まず、バーコードや型番は同じですが、製造番号？が違っています。
基板自体は(緑)W1107 94V-0 E77755→(青)NYKS NM10 94V-0 1140 24
20YT5NGのチップの製造週が、(緑)1201→(青)1201Hへと変わっています。
他にもチップ左下の●が大きくなっており、その右側の文字列が全く違うものになっています。

私の経験からの主観になりますが、緑基板には不良が多く、ロット不良ように感じました。

以下長々とSPDとXMPのデータです。
しかし、どうにも正しいとは思えない値が出るので、CPU-ZはXMPの値を、HWinfo32はSPDの値を見ると良いと思います。

===CPU-Z===
DIMM # 1
SMBus address 0x51
Memory type DDR3
Module format UDIMM
Manufacturer (ID) Nanya Technology (7F7F7F0B00000000)
Size 4096 MBytes
Max bandwidth PC3-12800 (800 MHz)
Part number M2X4G64CB8HG5N-DG
Serial number -----
Manufacturing date Week 49/Year 11
Number of banks 8
Nominal Voltage 1.50 Volts
EPP no
XMP yes
XMP revision 1.2
JEDEC timings table CL-tRCD-tRP-tRAS-tRC @ frequency
JEDEC #1 5.0-5-5-14-19 @ 380 MHz
JEDEC #2 6.0-6-6-16-22 @ 457 MHz
JEDEC #3 7.0-7-7-19-26 @ 533 MHz
JEDEC #4 8.0-8-8-22-30 @ 609 MHz
JEDEC #5 9.0-9-9-24-33 @ 685 MHz
JEDEC #6 10.0-10-10-27-37 @ 761 MHz
JEDEC #7 11.0-11-11-30-41 @ 838 MHz
XMP profile XMP-1600
Specification PC3-12800H
Voltage level 1.500 Volts
Min Cycle time 1.250 ns (800 MHz)
Min tRP 11.25 ns
Min tRCD 11.25 ns
Min tWR 15.00 ns
Min tRAS 35.00 ns
Min tRC 46.25 ns
Min tRFC 160.00 ns
Min tRTP 7.50 ns
Min tRRD 6.00 ns
Command Rate 2T
XMP timings table CL-tRCD-tRP-tRAS-tRC-CR @ frequency (voltage)
XMP #1 6.0-6-6-19-25-2T @ 533 MHz (1.500 Volts)
XMP #2 9.0-9-9-28-37-2T @ 800 MHz (1.500 Volts)
XMP profile XMP-1066
Specification PC3-8500
Voltage level 1.650 Volts
Min Cycle time 1.875 ns (533 MHz)
Min tRP 20.63 ns
Min tRCD 20.63 ns
Min tWR 26.25 ns
Min tRAS 59.50 ns
Min tRC 80.13 ns
Min tRFC 280.00 ns
Min tRTP 13.13 ns
Min tRRD 10.50 ns
Command Rate 3T
XMP timings table CL-tRCD-tRP-tRAS-tRC-CR @ frequency (voltage)
XMP #1 6.0-6-6-18-24-3T @ 290 MHz (1.650 Volts)
XMP #2 11.0-11-11-32-43-3T @ 533 MHz (1.650 Volts)

===HWinfo32===

Row: 1 - 4096 MB PC3-12800 DDR3 SDRAM Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG

[General Module Information]
Module Number: 1
Module Size: 4096 MBytes
Memory Type: DDR3 SDRAM
Module Type: Unbuffered DIMM (UDIMM)
Memory Speed: 800.0 MHz (PC3-12800)
Module Manufacturer: Nanya Technology
Module Part Number: M2X4G64CB8HG5N-DG
Module Revision: 0
Module Serial Number: -----
Module Manufacturing Date: Year: 2011, Week: 49
Module Manufacturing Location: 26
SDRAM Manufacturer: Nanya Technology
Error Check/Correction: None

[Module characteristics]
Row Address Bits: 15
Column Address Bits: 10
Number Of Banks: 8
Module Density: 2048 Mb
Number Of Ranks: 2
Device Width: 8 bits
Bus Width: 64 bits
Module Nominal Voltage (VDD): 1.5 V

[Module timing]
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns
CAS# Latencies Supported: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
Minimum CAS# Latency Time (tAAmin): 13.125 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay (tRCDmin): 13.125 ns
Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns
Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 35.000 ns

Supported Module Timing at 800.0 MHz: 11-11-11-28
Supported Module Timing at 666.7 MHz: 9-9-9-24
Supported Module Timing at 533.3 MHz: 7-7-7-19
Supported Module Timing at 400.0 MHz: 6-6-6-14
Supported Module Timing at 333.3 MHz: 5-5-5-12

Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 48.125 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 160.000 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns

[Features]
On-die Thermal Sensor (ODTS) Readout: Not Supported
Auto Self Refresh (ASR): Supported
Extended Temperature Refresh Rate: Not Supported
Extended Temperature Range: Supported
Module Temperature Sensor: Not Supported
Module Nominal Height: 29 - 30 mm
Module Maximum Thickness (Front): 1 - 2 mm
Module Maximum Thickness (Back): 1 - 2 mm

[Intel Extreme Memory Profile (XMP)]
XMP Revision: 1.2

[Enthusiast / Certified Profile [Enabled]]
Module VDD Voltage Level: 1.50 V
Memory Controller Voltage Level: 1.50 V
CAS# Latencies Supported: 6, 9
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.250 ns (800.0 MHz)
Minimum CAS Latency Time (tAAmin): 11.250 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay Time (tRCDmin): 11.250 ns
Minimum Row Precharge Delay Time (tRPmin): 11.250 ns
Minimum Active to Precharge Delay Time (tRASmin): 35.000 ns
Minimum CAS Write Latency Time (tCWLmin): 11.250 ns
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Delay Time (tRCmin): 46.250 ns
Maximum tREFI Time (Average Periodic Refresh Interval): 4.000 us
Minimum Refresh Recovery Delay Time (tRFCmin): 160.000 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay Time (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay Time (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.0 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay Time (tWTRmin): 7.500 ns
Supported Module Timing at 800.0 MHz: 9-9-9-28
Read to Write CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Write to Read CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
Back 2 Back CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
System Command Rate Mode: 2N

[Extreme Profile [Enabled]]
Module VDD Voltage Level: 0.00 V
CAS# Latencies Supported: 4, 6, 9, 11, 14, 19
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 3.214 ns (311.1 MHz)
Minimum CAS Latency Time (tAAmin): 1.071 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay Time (tRCDmin): 11.786 ns
Minimum Row Precharge Delay Time (tRPmin): 11.786 ns
Minimum Active to Precharge Delay Time (tRASmin): 38.929 ns
Minimum CAS Write Latency Time (tCWLmin): 0.000 ns
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 11.786 ns
Minimum Active to Active/Refresh Delay Time (tRCmin): 253.429 ns
Maximum tREFI Time (Average Periodic Refresh Interval): 1014.929 us
Minimum Refresh Recovery Delay Time (tRFCmin): 3510.857 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay Time (tRTPmin): 0.571 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay Time (tRRDmin): 7.500 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 73.2 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay Time (tWTRmin): 11.714 ns
Supported Module Timing at 311.1 MHz: 1-4-4-13
Read to Write CMD Turn-around Time Optimization: 6 Clock Pull-in
Write to Read CMD Turn-around Time Optimization: 1 Clock Push-out
Back 2 Back CMD Turn-around Time Optimization: No adjustment
System Command Rate Mode: Default

  • 購入金額

    3,000円

  • 購入日

    2012年02月頃

  • 購入場所

9人がこのレビューをCOOLしました！

コメント (2)

  • リンさん

    2012/03/07

    基盤の色でロッドが解るのはいいですね。
    初期不良掴みたくないですから＞＜

  • likemidさん

    2012/03/07

    同じ1201週ですが色が違うので、実は製造工場違いとか言うのもあり得ますね。
    初期不良は問題の切り分け等、後処理が面倒なので当たりたくないんですが、ここ最近良く当たって困りますねー。

ZIGSOWにログインするとコメントやこのアイテムを持っているユーザー全員に質問できます。

YouTube の動画を挿入

YouTube の URL または動画の ID を入力してください

動画の ID が取得できません。ID もしくは URL を正しく入力してください。

ニコニコ動画の動画を挿入

ニコニコ動画の URL または動画の ID を入力してください

動画の ID が取得できません。ID もしくは URL を正しく入力してください。

ZIGSOWリンク挿入

検索対象とキーワードを入力してください

    外部リンクを挿入

    リンク先の URL とタイトルを入力してください

    URL を正しく入力してください。

    画像を挿入(最大サイズ20MB)

    画像を選択してください

    ファイルサイズが20MBを超えています

    別の画像を追加

    このアイテムを持ってる人のレビュー

    このレビューもチェック

    新着レビュー

    カテゴリーからレビューを探す 一覧へ

    likemidさん

    シリコンパワー メモリモジュール 240Pin DIMM DDR3-1600(PC3-12800) 4GBx2枚組 ブリスターパッケージ SP008GBLTU160V22
    Amazon.co.jpへ
    持ってる！ 気になる！

    持ってる人 (4)

    ZIGSOW にログイン

    ZIGSOW会員登録（無料）はこちらから

    ログインできない場合はこちら