NchのパワーMOS-FETです。
1.95mΩってすごく低いんじゃ・・・
極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応とうたっているだけあって、オン抵抗はたったの1.95mΩ(VGS=10V)です。
仕様としてはこんな感じです。
・VDS:30V
・VGS:±20V
・ID:260A(TC=25℃,VGS(th)=10V)
・RDS(ON)MAX1:1.95mΩ(VGS=10V,ID=60A)
・RDS(ON)MAX2:2.60mΩ(VGS=4.5V,ID=48A)
・PD:230W(TC=25℃)
・VGS(th):1.35V~2.35V(VDS=VGS,ID=150μA)
・Qg:57nC(VDS=15V,VGS=4.5V,ID=48A)
・tr:170ns(VDD=15V,ID=48A,RG=1.8Ω,VGS=4.5V)
・tf:60ns(VDD=15V,ID=48A,RG=1.8Ω,VGS=4.5V)
・ピン配置:GDS(マーキングされた面から見て左から順に)
・パッケージ:TO-220AB
これだけ低ければもう普通にいろんな信号用のスイッチング素子として使えるんじゃないかな?
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購入金額
120円
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購入日
2015年08月10日
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購入場所
秋月電子
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