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・2016年5月15日・・・・ヒートシンク取り付け

プレミアムレビューを予定しているマザーボード(H170 GAMING M3)用に

購入しました。

↓パッケージは透明のプラスチックで挟む様な形でしっかりと

固定されていて、それがさらに紙の箱に入っています。

プラスチックの部分は何度でも使用できる様になっているので

良いパッケージだと思います。(リサイクル関係のマークはありますが、

静電気対策のマークは無い様です。)

↓スペック

容量 256GB

フォームファクター M.2 Type 2280

接続インターフェース PCI Express Gen3 x4

接続プロトコル MNVMe 1.1

NANDフラッシュタイプ Samsung 第2世代V-NAND MLC コントローラー Samsung UBX キャッシュ 512MB LP DDR3 TRIM ○ S.M.A.R.T ○ 暗号化 256bit AES、TCG/Opal V.2、Encrypted Drive シーケンシャルリード 2200MB/s

シーケンシャルライト 900MB/s

4Kランダムリード(4KB/QD1) 1万1000 IOPS

4Kランダムライト(4KB/QD1) 4万3000 IOPS

4Kランダムリード(4KB/QD32) 27万 IOPS

4Kランダムライト(4KB/QD32) 8万5000 IOPS

消費電力 平均5.7W、最大7.0W DEVSLP時2.5mW 平均5.1W、最大6.4W MTBF 150万時間 TBW 200TBW

早速、前回プレミアムレビューをさせて頂いたNUC5i5RYKに取り付けてベンチマークと動作の速さを体験しました。

NUC5i5RYKのM.2スロットはPCIe 2.0 X4で最大帯域幅は1600MB/Sのようなので

それを上回っています。

※規格のMAX値は、500MB/S × 4レーン = 2000MB/S

H170 GAMING M3 のM.2スロットはPCIe 3.0 X 4なのでMAX値は1000MB/S X4 = 4000MB/S

なのでこのSSDの最大転送速度の2200MB/Sに近い値は出てくれる期待が持てます。

↓気になるのは温度ですね、負荷をかけても44度からは変わらなかったですが、

実際の使用環境では、グラボ等の排熱で温度が上がるでしょうから

対策は考えないといけないと思っています。

2016年5月15日追記

マザーボードH170 GAMING M3でPCを組みましたので早速このSSDを

OS用として使いました。

↓ベンチマーク結果です。読み取り速度としては、製品の仕様値(シーケンシャルリード2,200MB/S)は超えています。書き込みも同じく少し超えています。(シーケンシャルライト900MB/S)

↓残念なことにやはり温度は高くなってしまいました。

OCCTを5時間走らせた後なので条件は良くないですが、これではだめなので

ヒートシンクを付けることにしました。

↓シリアル番号等が記載されたシールを丁寧にはがします。

※一部敗れてしまいました。

↓このように配置します。

この後左から2番目のヒートシンクは土台となるチップがないのでしっかりと

つかない為、はずしています。

外れるとアルマイト処理で絶縁されているとはいえ、グラボの裏面に落ちてしまうので

万が一を考えて外しました。

↓ヒートシンクを付けたSSDをPCに戻します。

グラボも外しています。

↓負荷がない状態で37℃→31℃に落ちています。

↓5分程OCCTでCPU負荷100%で動かしても47℃なので十分効果はあったと思います。